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  Memorias Samsung V-NAND, interfaz NVMe y controladora Polaris
  Conexión PCIe 3.0 x4, factor de forma M.2

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  Velocidades de lectura secuencial de hasta 545 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 525 MB/s
  Tiempo medio antes de fallos (MTTF) de 1,75 millones de horas, líder en el sector, y varias tecnologías de corrección de errores para una mayor fiabilidad
  Sistema optimizado para trabajar en multitarea y ejecutar de forma simultánea aplicaciones que consumen muchos recursos sin una ralentización del sistema

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  EXTENDED HEATSINK DESIGN – El circuito mejorado y extendido PWM diseñado por MSI asegura que incluso los procesadores de alta gama corran a máxima velocidad.
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